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Vishay推出具有業內先進水平的頂側冷卻PowerPAK®封裝的600 V E係列功率MOSFET

2024-5-7 來（lái）源：- 作者：-

第四代器件，額定功率和功率密度高於D2PAK 封裝產品，降低導（dǎo）通和開關損耗，從而提升能效

美國賓夕（xī）法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年5月7日 — 日前，威世科技（jì）Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封裝的（de）第四代（dài）600 V E係列功率MOSFET---SiHR080N60E，為通信、工（gōng）業和計算應（yīng）用提供高效的高功率密度解決方案。與前代器件相（xiàng）比，Vishay Siliconix n溝道SiHR080N60E導通電（diàn）阻（zǔ）降低27 %，導通電阻與柵極電荷乘積，即（jí）600 V MOSFET在功率轉換應用中的重（chóng）要優值係數（FOM）下降60 %，額定電流高於D2PAK封裝器件，同（tóng）時（shí）減小（xiǎo）占位麵積。

Vishay豐（fēng）富（fù）的（de）MOSFET技術全麵（miàn）支持功率轉換過程，涵（hán）蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各（gè）種先進高科技設備。隨著SiHR080N60E的推出，以及其他第（dì）四代600 V E係列器件的發布，Vishay可在電源係統架構設計初期滿足提高能效和功率密（mì）度（dù）兩方麵的要求—包括功（gōng）率因數校正（PFC）和後麵（miàn）的DC/DC轉換（huàn）器磚式電源。典型應用（yòng）包括服務器、邊緣計算、超級（jí）計（jì）算機、數據存儲（chǔ）、UPS、高強度（dù）放電（HID）燈和熒光鎮流器、通信SMPS、太陽能逆變器（qì）、焊接（jiē）設備、感應加熱、電機驅動，以及電池充電器（qì）。

SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封（fēng）裝，外形尺寸為10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位麵積比D2PAK封裝減小50.8 %，高度降低66 %。由於封裝采用頂側（cè）冷卻，因（yīn）此具有出（chū）色的熱性（xìng）能，結殼（漏極）熱阻僅為0.25 C/W。相同導通電阻下，額定電流比D2PAK封（fēng）裝高46 %，從而顯著提高功率密度。此外，封裝的鷗翼引線結（jié）構具有優異的溫（wēn）度循環性能（néng）。

SiHR080N60E采用Vishay先進的高能效（xiào）E係列超級結技術，10 V下典型導通電阻僅為（wéi）0.074 Ω，超低柵極電荷下降到42 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，達到業（yè）內先進水平，這些性能參數意味（wèi）著降低了傳導和開關損耗，從而（ér）實現節能並提高2 kW以上電源係統的效率。日前發（fā）布的MOSFET有效輸出電容Co(er) 和Co(tr)典型值分（fèn）別（bié）僅為79 pF和499 pF，有助於改（gǎi）善硬開關拓撲結構開關性能，如PFC、半橋和雙開關順向設計。封裝還提供開爾文（Kelvin）連接，以提高開關（guān）效率。

器件符合RoHS標準，無鹵素，耐受雪崩模式下過壓瞬變，並保證極限值100 %通過UIS測試。

SiHR080N60E現可提供樣品並已實現量產，如想了解供貨周期的相（xiàng）關信息，請（qǐng）與當地（dì）銷售（shòu）部（bù）聯係。

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