高效能IGBT為（wéi）高功率應用加把勁（jìn）
2018-5-8 來源：安森（sēn）美半導體 作者：-
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應用中相當常見的器件，可用於交流電的電機控製輸出。由安（ān）森美半導體（ON Semiconductor）所推出的TO247-4L IGBT將可為相關應（yīng）用提供更高（gāo）的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的？讓我（wǒ）們來進一步深入（rù）了解。
通過TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗
IGBT是主要用作電子開關的三端（duān）子功率半導體器件，正（zhèng）如其開發的目的，結合了高效率和快速的開關功（gōng）能（néng），它在許多應用中（zhōng）切換電（diàn）力，像是變頻驅動（VFD）、電動（dòng）汽車、火車、變速冰箱、燈鎮流器和空調（diào）。傳統的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的導通電阻小，但是驅動電（diàn）流大，而MOSFET的導通電阻大，卻有（yǒu）著驅（qū）動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點：不僅驅（qū）動電流小，導通電阻也很低。
具有四個交替層（P-N-P-N）的（de）IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導體（MOS）柵（shān）極結（jié）構控製。由（yóu）於其設計為可以快速（sù）地打（dǎ）開（kāi）和關閉，因此放大器通常會使用它通過（guò）脈寬調製和低通濾波器來合成複雜的波形。除了將n +漏（lòu）極替換為p +集電極層之外，IGBT單元的構造類似於n溝道垂直構造的（de）功率MOSFET，從而形成垂直的（de）PNP雙極結（jié）型晶體管。該附加的p +區域產生PNP雙極（jí）結型晶體管與表麵n溝道MOSFET的級聯連接。
IGBT將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電（diàn）流和（hé）低飽和電壓（yā）能力相結合。IGBT將用於控製輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關的雙極型功率晶體管組合在一起。
安（ān）森美半（bàn）導體推出TO247-4L IGBT係列，具有強大且經濟實惠的Field Stop II Trench結構，並且在（zài）苛刻的開關（guān）應用中（zhōng）提供（gòng）卓越的性能，提供（gòng）低導通電壓和最小的開關損耗。
與標準TO-247-3L封裝相比，安（ān）森美半導體的TO-247-4L IGBT封裝采用TO-247-4L格式，可以降低Eon損（sǔn）耗，並提供分離的開關引腳（jiǎo），可以將Eon損耗降低60%以上。它采用非常高效的Trench Field Stop II技術構（gòu）建，並針對具有低導通（tōng）電壓和最（zuì）小化開關損耗優勢（shì）的高速（sù）開關進行了優化。通過優化的高速切換，可以提高門控和降低開關損耗。集成具有低正向電壓的軟式、快速共包續（xù）流二極管，可以節（jiē）省（shěng）電路板空間（jiān）。
安森美半導體（tǐ）TO-247-4L IGBT的目標應用是太陽能逆變器、不間斷電源（UPS），全半橋拓（tuò）撲（pū）和中性點鉗位拓撲。它可以支持需要1200V解決方案的客戶，並從TO-247-4L封裝所提供的減少Eon開關損耗中獲益。安森美半導體（tǐ）目前（qián）是唯一一家提供1200V器件的公司。
安森美半導體的TO-247-4L Field Stop II IGBT係列包括NGTB50N65FL2WA（650 V，50 A）、NGTB75N65FL2WA（650 V，75 A）、FGH75T65SQDTL4（650 V，75 A）、NGTB40N120FL2WA（1200 V，40 A）、NGTB25N120FL2WA（1200V，25A）和NGTB50N120FL2WA（1200V，50A）等（děng）。這（zhè）些器件采用改進的門控製來降低開關損耗（hào），具有非常高效的帶（dài）Field Stop技（jì）術（shù）的溝槽（cáo），TJmax等於175°C。獨（dú）立的發射（shè）器驅動引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對高速切換進行了優化，並均是無鉛器件，適用（yòng）於工業應用。
安森美半（bàn）導體的TO-247-4L Field Stop II IGBT係（xì）列采用先進的Field Stop II Trench架構技術，可（kě）有效地提高IGBT的運作效率，並降低Eon損耗（hào），是高功率（lǜ）電源應用的理想選擇。
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