三菱電機推出新款1200V SiC-MOSFET 功耗低/減小車載充電器尺寸
2020-6-19 來源：- 作者：-
三（sān）菱（líng）電機新款SiC-MOSFET問世。
據（jù）外媒報道，近（jìn）日，日本三菱電機（jī）公司（Mitsubishi Electric Corporation）宣布推出N係列1200V碳化矽 MOSFET（金（jīn）屬氧化物（wù）半導體場效應晶體管），該產品功率損耗低且自接通耐受性高，還可以幫助降低功耗，實現電動汽車（chē）（EV）車載充電器、光伏電力係統等供電係統（需要轉換高壓）的小型化，產品樣（yàng）品將於今年7月開始發貨。
（圖片來源：三菱電機）
三菱電機還將在大型貿易展會上（shàng）展示其（qí）新（xīn）款N係列1200V SiC-MOSFET，包括將於11月16日至18日在中國上海舉（jǔ）辦的2020 PCIM Asia（上海國際電力元件（jiàn）、可再生能源管理展覽會）上進行展（zhǎn）示。
產品特點（diǎn）：
1、 降低功耗，實（shí）現供電係統的小型（xíng）化
A、結型場（chǎng）效應晶體管（JFET）摻雜技術既降低了1200V SiC-MOSFET的開關損耗（hào）和導通電（diàn）阻（zǔ），還讓其達到行業領先（xiān）的品質因數（FOM）——1,450mΩ·nC。與采（cǎi）用傳（chuán）統的矽絕緣柵門（mén）極晶體管（Si-IGBT）相比，用於供電係統的1200V SiC-MOSFET的功（gōng）耗降低了約85%。
B、通過降低鏡麵電容（在（zài）MOSFET結構中，柵極和漏極之間存在的雜（zá）散電容），與競爭對手的產品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可實現快速的（de）開（kāi）關操作，降低開關損（sǔn）耗。
C、由於降（jiàng）低了開（kāi）關功（gōng）率損耗，通過驅動具有更高載頻的功率半導體，得以實現冷卻係統（tǒng）及周邊部件（如反應器（qì））的小型化和簡單（dān）化，從而有助於降低整個供電係統的（de）成本的尺寸。
2、 有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101規格的型（xíng）號，適用於各種應用
A、N係列1200V SiC-MOSFET產品包括符合美國汽車電子委員會AEC-Q101規格（gé）的型號，因此，該產品不僅適用於光伏係統等工業（yè）應用，也可用於電動汽車車（chē）載充電器。
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