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安森美半導體推出新的900 V和1200 V SiC MOSFET用於高要求（qiú）的應用

2020-3-12 來源：安森美半導體作者（zhě）：-

新的SiC MOSFET器件實現更好的性能、更高的能效和能在嚴苛（kē）條件下工作。

推動高能效創新的（de）安森美半導體（ON Semiconductor，美國納（nà）斯達克上市代號：ON），推（tuī）出另兩個（gè）碳化矽（SiC） MOSFET係列，擴展（zhǎn）了其寬禁帶（WBG）器件係列。這些新器（qì）件適用於各種高要求的高增長（zhǎng）應用，包括太陽能逆（nì）變器、電動（dòng）汽車（EV）車（chē）載（zǎi）充電、不間斷電源（UPS）、服務（wù）器電（diàn）源和EV充電樁，提供的性能水平是矽（Si） MOSFET根本無法實現的。

安森美半導體的新的1200伏（fú）（V）和900 V N溝（gōu）道（dào）SiC MOSFET提供比矽更快的開關性能（néng）和更高的（de）可靠性。快速本征二極（jí）管（guǎn）具（jù）有低反向恢複電荷，顯著（zhe）降低損耗，提高工作頻率以及（jí）整體方案的功（gōng）率密度。

小芯片尺寸進一步（bù）增強高（gāo）頻工作，達至更小的器（qì）件電容和更低的門極電荷（hé）-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比（bǐ）基於Si的MOSFET提高能效，降低電（diàn）磁（cí）幹擾（EMI），並可使用更少（或更（gèng）小）的（de）無源器件。極強（qiáng）固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪湧額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提（tí）供更高的可靠性和更長的使用壽（shòu）命，這對高（gāo）要求的現代電源應用至關重要（yào）。較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性，減少器件導通時產生（shēng）的靜態損耗。

1200 V器件的額定電流高達103 A（最大ID），而900 V器件的額定電流高達118 A。對於需要更高電（diàn）流的應用，安森美半導體的（de）MOSFET可易於並聯運行，因其正溫（wēn）係數/不受溫（wēn）度影響。

安森美半導體電（diàn）源方案（àn）部功率MOSFET分部副總裁/總經理Gary Straker針對新的SiC MOSFET器件說：“如果設計工程師要達到現代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰性的高能效和功率密度目標，他們需要（yào）高性能、高可靠（kào）性的MOSFET器（qì）件。安森美半導體的WBG SiC MOSFET提（tí）升性能至超越矽器件所能提供的，包括更低的損耗（hào），更高的工作溫度，更快的開關速度，改善（shàn）的EMI和更（gèng）高的可靠性。安森美半導體為進一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具（jù），簡化（huà）和加速設計流程。”

安森美半導體的所（suǒ）有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化（huà）物，針對汽車應用的器件都符合AEC-Q100車規和生產（chǎn）件批（pī）準（zhǔn）程序（PPAP）。所（suǒ）有器（qì）件都采用行業標準的TO-247或D2PAK封（fēng）裝。

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